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IPS65R600E6AKMA1| MOSFET N-CH 650V TO-251-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Power - Max | 63W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
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电子元件制造商
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