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日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
电子产业的蓬勃发展带来了史无前例的生活、生产大跃进，但是，人们在享受发展喜悦的同时又不得不面临现实现状的囧境——在以移动电子设备产业为核...
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出用于消费类产品中红外遥控应用的两个新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP33xxx和TSOP...
Avago宣布最新的40G QSFP BIDI 多模光模块，PN AFBR-79EBPZ已经可以批量生产。Avago此款模块主要用于高速数据中心互联和其他...
日前，Vishay Intertechnology Inc宣布，推出新系列高功率、大电流的栅格电阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2电阻是Vishay Dale Re...
品牌 : Texas Instruments
型号 : MSP430F149IPMR-KAM
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5235BRUZ250-R7
品牌 : Texas Instruments
型号 : DAC7541AJUG4
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5254BRUZ50-RL7
