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日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
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挪威，奥斯陆，02/26/2013-节能微控器和无线射频供应商 Energy Micro宣布其正式任命Alf-Egil Bogen为其CMO(首席营销官)。Alf-Egil Bog...
日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列径向引线的负温度系数(PTC)检测热敏电阻--- PTCSL0...
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5254BRUZ50-RL7
品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
品牌 : STMicroelectronics
型号 : STM32F103C8T6TR
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5235BRUZ250-R7
