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日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
目前无论在工业、汽车、通信、军工还是医疗电子市场，高精度薄膜电阻、超级结三极管（包含MOSFET）、高容值薄膜电容、超级电容、光传感器、IG...
MAX77650和MAX77651具有单电感多输出调节器和充电器，理想用于小尺寸锂离子电池的优化 Maxim推出MAX77650/MAX77651电源管理IC ...
据悉，Vishay近日宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...
爱特梅尔公司 (Atmel Corporation) 宣布为基于ARM926EJ-S 的400 MHz AT91SAM9G20 嵌入式微处理器 (MPU)，以及AT91SAM9 系...
品牌 : Atmel
型号 : ATMEGA328P-AU
品牌 : STMicroelectronics
型号 : STM32F103C8T6TR
品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
品牌 : Texas Instruments
型号 : DAC7541AJUG4
