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2N7635-GA| TRANS SJT 650V 4A TO-257
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (165°C) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | Junction Transistor, Normally Off |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 324pF @ 35V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Power - Max | 47W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
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电子元件制造商
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