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GA05JT12-247| TRANS SJT 1200V 5A

GA05JT12-247

描述 :   TRANS SJT 1200V 5A

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type Junction Transistor, Normally Off
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 106W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 5A
Supplier Device Package TO-247AB
Vgs(th) (Max) @ Id -
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