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CSD19536KTT| MOSFET N-CH 100V 200A TO263
CSD19536KTT
描述 : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
品牌 : Texas Instruments
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 12000pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Power - Max | 375W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | DDPAK/TO-263-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
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