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CSD19535KTT| MOSFET N-CH 100V 200A TO263

CSD19535KTT

描述 :   MOSFET N-CH 100V 200A TO263

品牌 :   Texas Instruments

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 7930pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Power - Max 300W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package DDPAK/TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
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