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TPS1100DG4| MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

TPS1100DG4

描述 :   MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

品牌 :   Texas Instruments

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 15V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 791mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
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电子元件制造商

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