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GP1M010A080N| MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

GP1M010A080N

描述 :   MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

品牌 :   Global Power Technologies Group

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2336pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max 312W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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