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GP1M009A060FH| MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

GP1M009A060FH

描述 :   MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

品牌 :   Global Power Technologies Group

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1440pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 51.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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