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NVMS5P02R2G| MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC

NVMS5P02R2G

描述 :   MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC

品牌 :   ON Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.95A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1900pF @ 16V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 380mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
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电子元件制造商

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