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R6009ENJTL| MOSFET N-CH 600V 9A LPT

R6009ENJTL

描述 :   MOSFET N-CH 600V 9A LPT

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 430pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-83
Power - Max 40W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 535 mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package LPTS (SC-83)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
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