网站首页 > 产品> R6009ENX

R6009ENX| MOSFET N-CH 600V 9A TO220

R6009ENX

描述 :   MOSFET N-CH 600V 9A TO220

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 430pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 40W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 535 mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
  • vishay电感

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • xilinx 芯片

      OpenHW 设计大赛和学术峰会上宣布,此次大会将着重展示赛灵思 All Programmable 技术面向新加坡智慧城市和智慧校园计划的优势。这个由赛灵思...

  • vishay revere

      Vishay Intertechnology Inc.已签署协议,收购工业传感器与控制器件供应商SI Technologies,以加强自己在传感器仪表与系统市场中的地位。预...

  • xilinx器件

      前软件系统的高度自动化,硬件的不断精简优化以及任意方式的互联互通让系统级应用达到了前所未有的智能化,逐渐影响着嵌入式视觉和工业物联网领域...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9