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GA20JT12-263| TRANS SJT 1200V 45A
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | Junction Transistor, Normally Off |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3091pF @ 800V |
| Mounting Type | - |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | - |
| Power - Max | 282W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
| Supplier Device Package | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
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