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ECH8602M-TL-H| MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8

ECH8602M-TL-H

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8

品牌 :   ON Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package 8-ECH
Vgs(th) (Max) @ Id -
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