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VWM200-01P| MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

VWM200-01P

描述 :   MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

品牌 :   IXYS

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 430nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case V2-PAK
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package V2-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
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电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9