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FDMJ1028N| MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

FDMJ1028N

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 200pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x5)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
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电子元件制造商

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