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APTM60A11FT1G| MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

APTM60A11FT1G

描述 :   MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 330nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 10552pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Power - Max 390W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 132 mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
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电子元件制造商

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