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APTM60H23FT1G| MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5316pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Power - Max | 208W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276 mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
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