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PHN210T,118| MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

PHN210T,118

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 250pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
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电子元件制造商

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