网站首页 > 产品> UM6J1NTN

UM6J1NTN| MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

UM6J1NTN

描述 :   MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 30pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 150mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package UMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
  • atmel arm7开发板

      电子产业的蓬勃发展带来了史无前例的生活、生产大跃进,但是,人们在享受发展喜悦的同时又不得不面临现实现状的囧境——在以移动电子设备产业为核...

  • atmel rohs

      利用其在高可靠性封装解决方案方面的经验,Atmel 已于近期针对其所有的 PowerPC 微处理器产品推出了 LTCC(低温共烧陶瓷)版本,也称为 Hi...

  • dale vishay

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布功率等级提高到1.0W,采用0612小外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip® 检流电阻---W...

  • vishay intertechnologies

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(ML...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9