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PMDT290UCE,115| MOSFET N/P-CH 20V SOT666

PMDT290UCE,115

描述 :   MOSFET N/P-CH 20V SOT666

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA, 550mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 83pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 0.95V @ 250µA
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