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PMDT290UNE,115| MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
PMDT290UNE,115
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
品牌 : NXP Semiconductors
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 83pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
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