网站首页 > 产品> US6J11TR

US6J11TR| MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

US6J11TR

描述 :   MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 290pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 320mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Supplier Device Package UMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
  • altera 封装

      Altera公司全球营运及工程副总裁Bill Mazotti表示:「台积公司提供了一项非常先进且高度整合的封装解决方案来支援我们的Arria 10元件,此项产...

  • 钽电容 vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于空间受限的消费电子产品的新系列模塑MICROTAN®片式钽电容器...

  • atmel编程器

      为了调整P1,P2和P3用一个数字万用表按以下步骤进行:  1.调整P1,用测试夹临时连接 T1基极到地,然后调整P1载稳压器U6上获得6.5V输出。 ...

  • altera fpga 芯片

      随着大数据的发展,计算能力的提升,人工智能近两年迎来了新一轮的爆发。2016年谷歌AlphaGo赢得了围棋大战后,人工智能在产业界和资本圈引起了高...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9