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US6J11TR| MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

US6J11TR

描述 :   MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 290pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 320mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Supplier Device Package UMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
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