网站首页 > 产品> EFC6601R-TR

EFC6601R-TR| MOSFET 2N-CH EFCP

EFC6601R-TR

描述 :   MOSFET 2N-CH EFCP

品牌 :   ON Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-XFBGA
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package 6-EFCP (2.7x1.81)
Vgs(th) (Max) @ Id -
  • vishay group

      8月8日Vishay精密集团(股票代码:VPG)公布财报,公告显示公司2017财年第二财季净利润为361.90万美元,营业收入为6231.90万美元。  VishayP...

  • atmel 32

      Atmel公司近日宣布,公司基于ARM? Cortex?-M0+的MCU已达到了一个全新的低功耗标准,将活动模式下的功耗降至40 μA/MHz,并将睡眠模式...

  • atmel designer

      下一代电子设计软件与服务开发商 Altium近日宣布针对Atmel?器件(包括其AVR?和ARM?微控制器)推出全新系列的在线元件库。使用Altium电子设...

  • dale vishay

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布功率等级提高到1.0W,采用0612小外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip® 检流电阻---W...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9