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US6M1TR| MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

US6M1TR

描述 :   MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 70pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
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电子元件制造商

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