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QS6J11TR| MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

QS6J11TR

描述 :   MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 770pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-74, SOT-457
Power - Max 600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
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