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FDMB3800N| MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

FDMB3800N

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 465pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Power - Max 750mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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