网站首页 > 产品> BYV29FB-600,118

BYV29FB-600,118| DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK

BYV29FB-600,118

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 9A
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 35ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 8A
  • atmel控制器

      微控制器及触摸技术解决方案的领导厂商爱特梅尔公司(Atmel Corporation) 宣布提供全新maXTouch控制器系列,在汽车中控台(automotive center s...

  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

  • altera 芯片

      科技公司热衷于将炫酷的人工智能(AI)功能运用到的智能手机和增强现实(AR)眼镜中,例如,后者可以向人们展示如何修理引擎,或者用游客的语言告...

  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9