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BYV29B-600,118| DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK

BYV29B-600,118

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 9A
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 8A
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