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ES2BHE3/52T| DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

ES2BHE3/52T

描述 :   DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 2A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 100V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-214AA, SMB
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-214AA (SMB)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 900mV @ 2A
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