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GB10SLT12-252| DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250µA @ 1200V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 10A |
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