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1N5060 TR| DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A

1N5060 TR

描述 :   DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A

品牌 :   Central Semiconductor Corp

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 400V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case R-1 (Axial)
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package GPR-1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A
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