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S4PBHM3_A/I| DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
S4PBHM3_A/I
描述 : DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
品牌 : Vishay Semiconductor Diodes Division
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
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