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S3JHE3_A/I| DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
S3JHE3_A/I
描述 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
品牌 : Vishay Semiconductor Diodes Division
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB, (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
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