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BYC58X-600,127| DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
BYC58X-600,127
描述 : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
品牌 : NXP Semiconductors
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Reverse Recovery Time (trr) | 12.5ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 8A |
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