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1SS250(TE85L,F)| DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59

1SS250(TE85L,F)

描述 :   DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 125°C (Max)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Supplier Device Package SC-59
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA
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