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MURTA20060| DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
在线报价一
属性
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
|---|---|
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 600V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Three Tower |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
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电子元件制造商
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