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MURT20010| DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

MURT20010

描述 :   DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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属性

Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Standard
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100A
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电子元件制造商

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