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IXDN602SI| MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
IXDN602SI
描述 : MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
品牌 : IXYS Integrated Circuits Division
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库存: AVAIL
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属性
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 2A, 2A |
| Driven Configuration | Low-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Input Type | Non-Inverting |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Rise / Fall Time (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Supplier Device Package | 8-SOIC-EP |
| Voltage - Supply | 4.5 V ~ 35 V |
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