网站首页 > 产品> BS2100F-E2

BS2100F-E2| IC DVR IGBT/MOSFET

BS2100F-E2

描述 :   IC DVR IGBT/MOSFET

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Channel Type Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) 60mA, 130mA
Driven Configuration Half-Bridge
Gate Type N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V
Input Type Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 1V, 2.6V
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 100ns
Supplier Device Package 8-SOP
Voltage - Supply 10 V ~ 18 V
  • vishay场效应管

      场效应三极管SI2305网上近期找货询价较为频繁,其中搜索寻找的对应品牌基本是以VISHAY和SI为主,根据商家最近报价行情来看,总体报价存...

  • vishay group

      8月8日Vishay精密集团(股票代码:VPG)公布财报,公告显示公司2017财年第二财季净利润为361.90万美元,营业收入为6231.90万美元。  VishayP...

  • vishay钽电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • atmel touch

      全球微控制器(MCU)及触控技术解决方案领域的领导者Atmel®公司(NASDAQ: ATML)今日宣布,将把下一代压力传感技术应用于最新面向智能...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9