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2SK879-Y(TE85L,F)| JFET N-CH 0.1W USM

2SK879-Y(TE85L,F)

描述 :   JFET N-CH 0.1W USM

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V
Current Drain (Id) - Max -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 8.2pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 100mW
Resistance - RDS(On) -
Supplier Device Package USM
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 400mV @ 100nA
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