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GT60N321(Q)| IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

GT60N321(Q)

描述 :   IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Gate Charge -
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-3PL
Power - Max 170W
Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs
Supplier Device Package TO-3P(LH)
Switching Energy -
Td (on/off) @ 25°C 330ns/700ns
Test Condition -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
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