网站首页 > 产品> HGTP5N120BND

HGTP5N120BND| IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

HGTP5N120BND

描述 :   IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 21A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Gate Charge 53nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Power - Max 167W
Reverse Recovery Time (trr) 65ns
Supplier Device Package TO-220AB
Switching Energy 450µJ (on), 390µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/160ns
Test Condition 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • altera 下载器

      ALTERA CPLD器件的配置方式主要分为两大类:主动配置方式和被动方式。主动配置方式由CPLD器件引导配置操作过程,它控制着外部存储器...

  • xilinx 芯片

      OpenHW 设计大赛和学术峰会上宣布,此次大会将着重展示赛灵思 All Programmable 技术面向新加坡智慧城市和智慧校园计划的优势。这个由赛灵思...

  • altera fpga 设计

      英特尔(Intel)正于近日在美国举行的Supercomputing 2016大会上展示其两款新型Xeon处理器,以及支援深度学习的新型FPGA卡;从该公司的技术展...

  • vishay bc

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAPTM系列电力双层储能电容器...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9