网站首页 > 产品> APTGT75DA120D1G

APTGT75DA120D1G| IGBT 1200V 110A 357W D1

APTGT75DA120D1G

描述 :   IGBT 1200V 110A 357W D1

品牌 :   Microsemi Corporation

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Configuration Single
Current - Collector (Ic) (Max) 110A
Current - Collector Cutoff (Max) 4mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5345nF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Package / Case D1
Power - Max 357W
Supplier Device Package D1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • atmel 公司

      Atmel选择在柴火创客空间举办媒体见面会自然别有用意,因为在1月4日,李克强总理考察柴火创客空间,为深圳创客“添柴”。此次“大人物”的造访说...

  • avago光耦

      Avago Technologies(安华高科技)日前宣布,推出业内能效最高的1MBd数字光电耦合器产品,和目前产业标准1MBd数字光电耦合器比较,Avago紧凑...

  • avago光模块

      Avago公司高级副总裁,光纤业务部总经理Philip Gadd表示,Avago是高速光互联方案的业界领袖,拥有多样化的直到40Gbps的经济有效的数据中心传...

  • atmel 32

      Atmel公司近日宣布,公司基于ARM? Cortex?-M0+的MCU已达到了一个全新的低功耗标准,将活动模式下的功耗降至40 μA/MHz,并将睡眠模式...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9