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IPB160N04S2L03ATMA2| MOSFET N-CH TO262-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 230nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6000pF @ 15V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Power - Max | 330W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
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