网站首页 > 产品> IPD60R520CPATMA1

IPD60R520CPATMA1| MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252

IPD60R520CPATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 630pF @ 100V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 66W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

  • atmel can

      MYC-JA5D2X核心板的推出源于米尔科技在ATMEL平台多年的积累,配合之前推出的MYC-SAMA5D4X核心板、MYC-SAMA5D3核心板...

  • vishay中文名

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(ML...

  • ir vishay

      推出的器件的接近探测距离从10厘米到2米,从最低到最高灵敏度的动态范围超过4。作为接近传感器使用时,TSSP4056适合探测物体的距离,可用于玩...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9