网站首页 > 产品> IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13| MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

IPD30N06S2L-13

描述 :   MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 136W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
  • atmel gps

      全球微控制器(MCU)及触控技术解决方案领域的领导者Atmel公司(纳斯达克股票交易代码:ATML)近日宣布,TomTom Spark GPS健身手表采用...

  • vishay

      威世通过收购许多著名品牌的的分立电子元件的厂商促进了公司发展,例如:达勒(Dale)、思芬尼(Sfernice)、迪劳瑞(Draloric)、思碧(Sprague)、威...

  • vishay / dale

      发布的这颗带三个传感pin脚的电阻采用了独有的加工工艺,实现了50µΩ、100µΩ和125µΩ的极低阻值。低阻值使电阻能测量出更准确的数据,用来判断...

  • vishay 薄膜电容

      Vishay展示的器件包括牛角式和螺栓式功率铝电解电容器、低压金属化薄膜电容器,以及用于功率电子和功率校正控制器的DC-link和交流滤波电容器。...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9