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IPD60R3K3C6| MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

IPD60R3K3C6

描述 :   MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 93pF @ 100V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 18.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
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