网站首页 > 产品> IRF7459TRPBF

IRF7459TRPBF| MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

IRF7459TRPBF

描述 :   MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2480pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

  • xilinx ise 仿真

      Xilinx推出 ISE 12软件设计套件,实现了具有更高设计生产力的功耗和成本的突破性优化。ISE 设计套件首次利用“智能”时钟门控技术,将动态...

  • avago 光模块

      针对有线,无线,存储以及工业应用的模拟接口器件供应商Avago安华高科近日推出其针对高速数据中心应用的40G单纤双向多模光纤QSFP+光模块AF...

  • bc vishay

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAPTM系列电力双层储能电容器...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9